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近日，英特爾宣布已開始采用極紫外光刻（EUV）技術(shù)大規(guī)模量產(chǎn)（HVM）Intel 4制程節(jié)點(diǎn)。Intel 4大規(guī)模量產(chǎn)的如期實(shí)現(xiàn)，再次證明了英特爾正以強(qiáng)大的執(zhí)行力推進(jìn)“四年五個制程節(jié)點(diǎn)”計(jì)劃，并將其應(yīng)用于新一代的領(lǐng)先產(chǎn)品，滿足AI推動下“芯經(jīng)濟(jì)”指數(shù)級增長的算力需求。

作為英特爾首個采用極紫外光刻技術(shù)生產(chǎn)的制程節(jié)點(diǎn)，Intel 4與先前的節(jié)點(diǎn)相比，在性能、能效和晶體管密度方面均實(shí)現(xiàn)了顯著提升。極紫外光刻技術(shù)正在驅(qū)動著算力需求最高的應(yīng)用，如AI、先進(jìn)移動網(wǎng)絡(luò)、自動駕駛及新型數(shù)據(jù)中心和云應(yīng)用。此外，對于英特爾順利實(shí)現(xiàn)其“四年五個制程節(jié)點(diǎn)”計(jì)劃，及在2025年重獲制程領(lǐng)先性而言，極紫外光刻技術(shù)也起著關(guān)鍵作用。

英特爾公司首席執(zhí)行官帕特·基辛格表示：“我為英特爾團(tuán)隊(duì)以及客戶、供應(yīng)商和合作伙伴感到驕傲，我們一起將Intel 4制程節(jié)點(diǎn)的大規(guī)模量產(chǎn)變?yōu)楝F(xiàn)實(shí)，在重獲制程領(lǐng)先性的道路上穩(wěn)步前進(jìn)?！?/p>

英特爾“四年五個制程節(jié)點(diǎn)”計(jì)劃正在順利推進(jìn)中。目前，Intel 7和Intel 4已實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)；Intel 3正在按計(jì)劃推進(jìn)，目標(biāo)是2023年底；采用RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術(shù)的Intel 20A和Intel 18A同樣進(jìn)展順利，目標(biāo)是2024年。英特爾將于不久后推出面向英特爾代工服務(wù)（IFS）客戶的Intel 18A制程設(shè)計(jì)套件（PDK）。

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